一电力电子器件的分类共有四大类其中每类又能分出多种不同类型一按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类1半控型器件,例如晶闸管2全控型器件,例如门极可关断晶闸管GTR电力晶体管。
用得最多的是MOSFET和IGBT,其次还有GTO,GTR等,可以分为电压驱动型和电流驱动型,单极型和双极型,可以看王兆安的电力电子书,分类很详细。
不可控型二极管半控型器件晶闸管全控型器件GTO,GTR,MOS管,IGBT,IGCT等。
通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件,又称为自关断器件这类器件很多,门极可关断晶闸管GateTurnOff ThyristorGTO,电力场效应晶体管Power MOSFET,绝缘栅双极晶体管。
半控 二极管和单向可控硅组成的半控桥,可以组成三相和单相,一半可控,一半不可控 全控GTO,GTR,IGBT为全控型的器件,可以控制开通和关断。
GTO门级可关断晶闸管全控型器件#160电压电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强#160#160电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关。
四种典型的全控型器件的容量主要有以下几点11964年,美国第一次试制成功了500V10A的GTO在此后的近10年内,GTO的容量一直停留在较小水平,额定值已达1800V800A2kHz1400v600A5kHz600V3A100kHz2。
1IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点GTR。
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